三星開始生產用於伺服器的3nm晶片 有望在今年趕上台積電

三星開始生產用於伺服器的3nm晶片 有望在今年趕上台積電

雖然,三星代工廠去年宣布開始量產和出貨3nm晶片時,它沒有透露其第一個客戶的名稱,但傳言是為加密貨幣挖礦公司生產3nm ASIC晶片。 現在,三星公司似乎又迎來了另一個客戶。

據報道,三星代工廠將開始為來自美國的未知客戶生產具有HBM(高頻寬記憶體)的伺服器級SiP(系統級封裝)。 該晶片由韓國AD Technology公司設計。 關於正在製造的晶片的詳細資訊並不多,但它具有HBM內存並使用2.5D封裝技術。 目前還不清楚三星代工是使用SF3E(第一代 3nm 製造製程)還是SF3(第二代 3nm 製程)來製造晶片。

三星電子鑄造部業務開發團隊副總裁Jeong Ki-bong表示:「我們很高興能夠宣布與AD Technology 的3 奈米設計合作。該專案將為三星電子代工部門與生態系統合作夥伴之間的合作樹立良好 的先例。「三星電子鑄造事業部將加強與合作夥伴的合作,為客戶提供最好的品質。 」

三星代工比台積電早幾個月開始生產3nm晶片,但未能獲得AMD、蘋果、聯發科、英偉達和高通等大牌客戶。 蘋果幾週前發布了採用台積電3nm製程製造的A17 Pro晶片。 三星的第二代3nm 製程 (SF3) 預計將於明年初推出,它允許在同一電池類型內使用不同的奈米片通道寬度,與SF3相比,提供更高的功率、性能和麵積。

三星代工廠預計將於2025年準備好SF3P,這是其第三代3nm晶片製造工藝,性能有所增強。 此製程可用於製造伺服器和智慧型手機晶片。

作者註:三星代工廠幾年來在晶片製造方面一直無法與台積電相提並論。 眾所周知,與台積電生產的類似晶片相比,三星代工製程節點製造的晶片在完成相同任務時會消耗相對更多的能量,產生更多熱量並降低速度,從而提供較低的性能。

然而,三星代工在3nm製程中使用了GAA(Gate All around)而不是FinFET,預計將提供更好的性能和散熱效果。 因此,該公司預計今年趕上台積電。

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